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QWED SiPDR单柱介电谐振腔
积社科技作为波兰QWED产品在中国区的官方合作伙伴，致力于为客户提供更专业的电磁仿真CAE、测试测量产品和一流的技术服务。
SiPDR（单柱介电谐振腔）用于测量超材料和电阻膜的表面阻抗，以及用于半导体晶片的电导率的非接触式测量；可以测量的薄膜材料范围包括表面阻抗Rs <20kΩ/sq的电阻层、金属薄膜和导电聚合物薄膜。
对于半导体晶片，电阻率测量的上限约为1000Ωcm。 具有较高电阻率值的半导体可以使用该谐振器方便地进行测量。所有SiPDR（单柱介电谐振腔）都是定制的。
类型 | 参数 |
厚度为h的样品的测量精度 | ±2％ |
工作频率 | 5 GHz |
工作温度范围 | -270°C 至 110°C |
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